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GermanyNTTS2P02R2G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTTS2P02R2G
Explicación
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Descripción detallada
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount 8-MSOP
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
NTTS2P02R2G Models
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 16 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
780mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-MSOP
Package / Case
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Base Product Number
NTTS2P
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
NTTS2P02R2GOSTR
NTTS2P02R2GOS
NTTS2P02R2GOS-ND
NTTS2P02R2GOSCT
ONSONSNTTS2P02R2G
=NTTS2P02R2GOSCT-ND
2156-NTTS2P02R2G-ONTR-ND
2156-NTTS2P02R2G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTTS2P02R2G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NTTS2P02R2)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 21/Jan/2010)
HTML Datasheet
1(NTTS2P02R2)
EDA Models
1(NTTS2P02R2G Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : ZXM64P02XTA
Fabricante : Diodes Incorporated
Cantidad disponible : 6,695
Precio unitario : $1.40000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 6,695
Precio unitario : $1.40000
Tipo de reemplazo : Similar