Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQU13N06TU
Explicación
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 60 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
FQU1

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQU13N06TU

Documentos y medios de comunicación

Environmental Information
()

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRFU024PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 941
Precio unitario : $1.69000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STD12NF06L-1
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 1,924
Precio unitario : $0.82000
Tipo de reemplazo : Similar