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GermanyHAT2160H-EL-E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
HAT2160H-EL-E
Explicación
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Descripción detallada
N-Channel 20 V 60A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
HAT2160H-EL-E Models
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7750 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
LFPAK
Package / Case
SC-100, SOT-669
Base Product Number
HAT2160
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
HAT2160H-EL-E-ND
HAT2160H-EL-ECT
HAT2160H-EL-ETR
HAT2160H-EL-EDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation HAT2160H-EL-E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(HAT2160H)
PCN Packaging
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA Models
1(HAT2160H-EL-E Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : PSMN1R2-25YL,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 16,330
Precio unitario : $2.58000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 16,330
Precio unitario : $2.58000
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