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GermanyIPSA70R1K2P7SAKMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Explicación
MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3
Descripción detallada
N-Channel 700 V 4.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 400 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
174 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
25W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPSA70
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPSA70R1K2P7S
IPSA70R1K2P7SAKMA1-ND
448-IPSA70R1K2P7SAKMA1
SP001664784
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPSA70R1K2P7SAKMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPSA70R1K2P7S)
HTML Datasheet
1(IPSA70R1K2P7S)
Simulation Models
1(MOSFET CoolMOS™ P7 700V Spice Model)
Cantidad y precio
Cantidad: 1
Precio unitario: $0.64
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-