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GermanyMT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FES
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FES
Explicación
IC FLASH 512GBIT PARALLEL DIE
Descripción detallada
FLASH - NAND (TLC) Memory IC 512Gbit Parallel Die
Fabricación
Micron Technology Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND (TLC)
Memory Size
512Gbit
Memory Organization
64G x 8
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
2.5V ~ 3.6V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
MT29F512G08
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
OBSOLETE
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FES
Documentos y medios de comunicación
PCN Obsolescence/ EOL
1(DK OBS NOTICE)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-