Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SPI21N10
Explicación
MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
Descripción detallada
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
865 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
90W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
SPI21N

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

IFEINFSPI21N10
SPI21N10IN
2156-SPI21N10-IT
SPI21N10XK
SPI21N10X
SP000013843
SPI21N10-ND

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPI21N10

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SPI,SPP,SPB21N10 G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPI,SPP,SPB21N10 G)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRF540NLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 5,188
Precio unitario : $1.55000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IRF540ZLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 862
Precio unitario : $1.54000
Tipo de reemplazo : Similar