Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
RN1131MFV(TL3,T)
Explicación
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
RN1131MFV(TL3,T) Models
Embalaje estándar
8,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
100 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Power - Max
150 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-723
Supplier Device Package
VESM
Base Product Number
RN1131

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Otros nombres

RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T)

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(RN1131,1132MFV)
EDA Models
1(RN1131MFV(TL3,T) Models)

Cantidad y precio

Cantidad: 2000
Precio unitario: $0.03619
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1000
Precio unitario: $0.04369
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 500
Precio unitario: $0.06292
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 100
Precio unitario: $0.0801
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 10
Precio unitario: $0.148
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $0.21
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1

Alternativas

-