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GermanyHN3C10FUTE85LF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
HN3C10FUTE85LF
Explicación
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Descripción detallada
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Frequency - Transition
7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Gain
11.5dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
US6
Base Product Number
HN3C10
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
HN3C10FUTE85LFTR
HN3C10FUTE85LFCT
HN3C10FUTE85LFDKR
HN3C10FU(TE85L,F)
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
Cantidad: 100
Precio unitario: $0.3354
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 10
Precio unitario: $0.482
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $0.57
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
Modelo de producto : BFS483H6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 48,521
Precio unitario : $0.73000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 48,521
Precio unitario : $0.73000
Tipo de reemplazo : Similar