Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFU120
Explicación
MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Descripción detallada
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251AA
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IRFU1

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

*IRFU120
IRFU120IR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFU120

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRFU120PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 1,165
Precio unitario : $1.02000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Modelo de producto : IRFU120NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 5,855
Precio unitario : $0.92000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STU6NF10
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar