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GermanySPD30N08S2-22
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPD30N08S2-22
Explicación
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
136W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SPD30N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SPD30N08S222T
2156-SPD30N08S2-22
SP000013153
2156-SPD30N08S2-22-ITTR-ND
INFINFSPD30N08S2-22
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPD30N08S2-22
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SPD30N08S2-22)
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Cantidad y precio
-
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