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GermanyAPTGF50DH60T1G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
APTGF50DH60T1G
Explicación
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1
Descripción detallada
IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600 V 65 A 250 W Chassis Mount SP1
Fabricación
Microchip Technology
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microchip Technology
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
NPT
Configuration
Asymmetrical Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
65 A
Power - Max
250 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 50A
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2.2 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SP1
Supplier Device Package
SP1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Microchip Technology APTGF50DH60T1G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
()
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Parts OBS 09/Sep/2020)
PCN Part Status Change
1(Power Module Disc 23/Mar/2016)
HTML Datasheet
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
-