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GermanySI8461DB-T2-E1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SI8461DB-T2-E1
Explicación
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Descripción detallada
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
610 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-Microfoot
Package / Case
4-XFBGA, CSPBGA
Base Product Number
SI8461
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SI8461DB-T2-E1TR
SI8461DB-T2-E1CT
SI8461DB-T2-E1DKR
SI8461DBT2E1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI8461DB-T2-E1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SI8461DB)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 14/Mar/2018)
HTML Datasheet
1(SI8461DB)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : CSD25213W10
Fabricante : Texas Instruments
Cantidad disponible : 10,637
Precio unitario : $0.45000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 10,637
Precio unitario : $0.45000
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