Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FCU3400N80Z
Explicación
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 800 V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,800
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
SuperFET® II
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
32W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
FCU3400

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2832-FCU3400N80Z-488
2832-FCU3400N80Z

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FCU3400N80Z

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FCD3400N80Z, FCU3400N80Z)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Assembly Site Transfer 28/Apr/2017)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : FCU3400N80Z
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 3,600
Precio unitario : $0.41670
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Modelo de producto : STU3LN80K5
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.30000
Tipo de reemplazo : Similar