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GermanyJAN1N3600
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
JAN1N3600
Explicación
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
Descripción detallada
Diode 50 V 200mA Through Hole DO-7
Fabricación
Microchip Technology
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microchip Technology
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
Technology
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
50 V
Current - Average Rectified (Io)
200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1 V @ 200 mA
Speed
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)
4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 50 V
Capacitance @ Vr, F
-
Grade
Military
Qualification
MIL-PRF-19500/231
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
DO-204AA, DO-7, Axial
Supplier Device Package
DO-7
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 175°C
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Otros nombres
1086-16797
1086-16797-MIL
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Microchip Technology JAN1N3600
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(1N3600)
Environmental Information
()
PCN Assembly/Origin
1(Manufacturing Change 23/Feb/2021)
HTML Datasheet
1(1N3600)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 1N4150 TR PBFREE
Fabricante : Central Semiconductor Corp
Cantidad disponible : 6,371
Precio unitario : $0.35000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 6,371
Precio unitario : $0.35000
Tipo de reemplazo : Direct