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GermanyBSP125L6433HTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSP125L6433HTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Descripción detallada
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-21
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSP125L6433HTMA1CT
BSP125 L6433-ND
BSP125L6433XT
BSP125L6433
BSP125L6433HTMA1DKR
BSP125 L6433DKR
BSP125 L6433DKR-ND
IFEINFBSP125L6433HTMA1
BSP125 L6433TR-ND
BSP125L6433HTMA1TR
BSP125 L6433CT-ND
BSP125 L6433
2156-BSP125L6433HTMA1-ITTR
SP000089211
BSP125 L6433CT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP125L6433HTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSP125)
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1(BSP125)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BSP125H6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 28,380
Precio unitario : $0.91000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 28,380
Precio unitario : $0.91000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent