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GermanyNTD110N02R-001G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTD110N02R-001G
Explicación
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 24 V 12.5A (Ta), 110A (Tc) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
24 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3440 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
NTD110
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-NTD110N02R-001G-ON
ONSONSNTD110N02R-001G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD110N02R-001G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NTD110N02R, STD110N02R)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 14/Apr/2010)
HTML Datasheet
1(NTD110N02R, STD110N02R)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STD17NF03LT4
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 2,609
Precio unitario : $0.99000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 2,609
Precio unitario : $0.99000
Tipo de reemplazo : Similar