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GermanyIRF6718L2TR1PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF6718L2TR1PBF
Explicación
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Descripción detallada
N-Channel 25 V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Ta), 270A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.7mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4.3W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET L6
Package / Case
DirectFET™ Isometric L6
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRF6718L2TR1PBFDKR
IRF6718L2TR1PBFCT
IRF6718L2TR1PBFTR
SP001530258
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6718L2TR1PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF6718L2TR(1)PbF)
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1(IRF6718L2TR(1)PbF)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-