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GermanyBSD235N L6327
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSD235N L6327
Explicación
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Descripción detallada
Mosfet Array 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 2
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1.6µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.32nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
63pF @ 10V
Power - Max
500mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-PO
Base Product Number
BSD235
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
BSD235NL6327INTR
BSD235N L6327INCT
BSD235N L6327INDKR
BSD235N L6327INTR
BSD235NL6327INCT
BSD235NL6327INDKR
BSD235N L6327INTR-ND
BSD235N L6327INDKR-ND
BSD235N L6327INCT-ND
SP000442458
BSD235NL6327
BSD235N L6327-ND
BSD235NL6327HTSA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies BSD235N L6327
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSD235N)
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Cantidad y precio
-
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