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GermanyIPI037N08N3GXKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPI037N08N3GXKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Descripción detallada
N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8110 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
214W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI037N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-IPI037N08N3GXKSA1
IFEINFIPI037N08N3GXKSA1
SP000680654
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI037N08N3GXKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPP037N08N3, IPI037N08N3, IPB035N08N3 G)
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1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPP037N08N3, IPI037N08N3, IPB035N08N3 G)
Simulation Models
1(MOSFET OptiMOS™ 80V N-Channel Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPI045N10N3GXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 469
Precio unitario : $3.76000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 469
Precio unitario : $3.76000
Tipo de reemplazo : Similar