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GermanyAPTM120DA30CT1G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
APTM120DA30CT1G
Explicación
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Descripción detallada
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Fabricación
Microchip Technology
Plazo de entrega estándar
42 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microchip Technology
Series
POWER MOS 8™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
560 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14560 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
657W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SP1
Package / Case
SP1
Base Product Number
APTM120
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microchip Technology APTM120DA30CT1G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(APTM120DA30CT1G)
Environmental Information
()
PCN Assembly/Origin
1(Assembly Site 08/Aug/2023)
PCN Packaging
1(Package change 11/Oct/2021)
HTML Datasheet
1(APTM120DA30CT1G)
Cantidad y precio
Cantidad: 12
Precio unitario: $86.81
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 12
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 12
Alternativas
-