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GermanyIXTM5N100A
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXTM5N100A
Explicación
MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Descripción detallada
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-204AA (IXTM)
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-204AA (IXTM)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Base Product Number
IXTM5
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTM5N100A
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXTH/IXTM 5N100(A))
HTML Datasheet
1(IXTH/IXTM 5N100(A))
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFPG50PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 127
Precio unitario : $5.66000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 127
Precio unitario : $5.66000
Tipo de reemplazo : Similar