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GermanySPP10N10
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPP10N10
Explicación
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 21µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
426 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP10N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
INFINFSPP10N10
2156-SPP10N10-IT
SPP10N10X
SP000013844
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP10N10
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SP(I,P,B)10N10)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SP(I,P,B)10N10)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRF540ZPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 38,671
Precio unitario : $1.30000
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Modelo de producto : IRL530PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 10,257
Precio unitario : $1.62000
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