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GermanyIRFH5015TR2PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFH5015TR2PBF
Explicación
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
Descripción detallada
N-Channel 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
400
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 50 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRFH5015TR2PBFTR
SP001570714
IRFH5015TR2PBFCT
IRFH5015TR2PBFDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH5015TR2PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFH5015PBF)
Other Related Documents
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Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFH5015PBF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDMS86250
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 11,425
Precio unitario : $2.55000
Tipo de reemplazo : Similar
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Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : TPH3300CNH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 12,088
Precio unitario : $1.22000
Tipo de reemplazo : Similar
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