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GermanySIHB15N65E-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIHB15N65E-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Descripción detallada
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
28 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
34W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB15
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB15N65E-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIHB15N65E)
HTML Datasheet
1(SIHB15N65E)
Cantidad y precio
Cantidad: 1000
Precio unitario: $1.78497
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1000
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1000
Alternativas
Modelo de producto : STB25N80K5
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 630
Precio unitario : $6.08000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 630
Precio unitario : $6.08000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : TK14G65W,RQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 2,911
Precio unitario : $2.36000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 2,911
Precio unitario : $2.36000
Tipo de reemplazo : Similar