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GermanyAUIRF1018E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
AUIRF1018E
Explicación
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
AUIRF1018E Models
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
AUIRF1018
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRF1018E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(AUIRF1018E Overview)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(AUIRF1018E Overview)
EDA Models
1(AUIRF1018E Models)
Cantidad y precio
Cantidad: 1000
Precio unitario: $1.12512
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1000
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1000
Alternativas
-