Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
BUT11AI,127
Explicación
TRANS NPN 450V 5A TO220AB
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 5 A 100 W Through Hole TO-220AB
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
5,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 330mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
14 @ 500mA, 5V
Power - Max
100 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Base Product Number
BUT11

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

BUT11AI
BUT11AI-ND
934050210127

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. BUT11AI,127

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(BUT11AI)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 30/Jun/2009)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(BUT11AI)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : BUL38D
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 1,998
Precio unitario : $1.39000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : MJE18004G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 3,300
Precio unitario : $1.52000
Tipo de reemplazo : Similar