Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRF624
Explicación
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRF624

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRF624

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
()
Product Drawings
()

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRF624PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.73000
Tipo de reemplazo : Direct