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GermanyFQD12N20LTF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQD12N20LTF
Explicación
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
FQD1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQD12N20LTF
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FQD12N20LTM
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.87000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.87000
Tipo de reemplazo : Similar