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GermanyFDMS7672
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDMS7672
Explicación
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción detallada
N-Channel 30 V 19A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount Power56
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
575
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Ta), 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2960 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
Power56
Package / Case
8-PowerTDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Otros nombres
FAIFSCFDMS7672
2156-FDMS7672
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDMS7672
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDMS7672 Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 575
Precio unitario: $0.52
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 575
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 575
Alternativas
-