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GermanyBSM50GD120DN2BOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSM50GD120DN2BOSA1
Explicación
IGBT MOD 1200V 72A 350W
Descripción detallada
IGBT Module Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Power - Max
350 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 50A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.3 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM50G
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP000100359
BSM50GD120DN2
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM50GD120DN2BOSA1
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : APTGLQ150H120G
Fabricante : Microchip Technology
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $292.09000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $292.09000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : MWI50-12A7
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar