English
China
Rusia
Italy
GermanyBUK7E4R3-75C,127
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BUK7E4R3-75C,127
Explicación
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 75 V 100A (Tc) 333W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
142 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11659 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
333W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
BUK7
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BUK7E4R3-75C,127-ND
BUK7E4R375C127
568-6630
NEXNXPBUK7E4R3-75C,127
2156-BUK7E4R3-75C127-NX
934060123127
568-6630-5
568-6630-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK7E4R3-75C,127
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 29/Dec/2014)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFSL3207ZPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 880
Precio unitario : $3.39000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 880
Precio unitario : $3.39000
Tipo de reemplazo : Similar