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GermanyIPB097N08N3 G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPB097N08N3 G
Explicación
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB097N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPB097N08N3 GDKR-ND
IPB097N08N3 GCT
IPB097N08N3 G-ND
IPB097N08N3 GTR-ND
IPB097N08N3 GCT-ND
IPB097N08N3GCT
IPB097N08N3G
IPB097N08N3GTR
IPB097N08N3 GDKR
IPB097N08N3GDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB097N08N3 G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx097,100N08N3 G)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx097,100N08N3 G)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Precio unitario : $3.49000
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Modelo de producto : PSMN008-75B,118
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Cantidad disponible : 5,795
Precio unitario : $1.97000
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Cantidad disponible : 8,250
Precio unitario : $1.63000
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Modelo de producto : PSMN8R7-80BS,118
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 5,398
Precio unitario : $1.77000
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