Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
RN1911FETE85LF
Explicación
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
250MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN1911

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Otros nombres

RN1911FE(TE85L,F)
RN1911FETE85LFCT
RN1911FETE85LFTR
RN1911FETE85LFDKR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(RN1910,11FE Datasheet)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : EMH3T2R
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 528
Precio unitario : $0.39000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : EMH4T2R
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 22,408
Precio unitario : $0.39000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : MUN5215DW1T1G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 8,650
Precio unitario : $0.32000
Tipo de reemplazo : Similar