English
China
Rusia
Italy
GermanyMDS1100
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MDS1100
Explicación
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
Descripción detallada
RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V
Frequency - Transition
1.03GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
8.9dB
Power - Max
8750W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 5A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)
100A
Operating Temperature
200°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
55TU-1
Supplier Device Package
55TU-1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
MDS1100-ND
150-MDS1100
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Microsemi Corporation MDS1100
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(MDS1100)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices OBS 13/Aug/2018)
HTML Datasheet
1(MDS1100)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-