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GermanyQS8M13TCR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
QS8M13TCR
Explicación
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Descripción detallada
Mosfet Array 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
QS8M13TCR Models
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 10V
Power - Max
1.5W
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package
TSMT8
Base Product Number
QS8M13
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
QS8M13TCRDKR
QS8M13TCRCT
QS8M13TCRTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Rohm Semiconductor QS8M13TCR
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(QS8M13TCR)
EDA Models
1(QS8M13TCR Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-