English
China
Rusia
Italy
GermanyMSM5118160F-60J3-7
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MSM5118160F-60J3-7
Explicación
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 26SOJ
Descripción detallada
DRAM Memory IC 16Mbit Parallel 30 ns
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Volatile
Memory Format
DRAM
Technology
DRAM
Memory Size
16Mbit
Memory Organization
1M x 16
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
-
Access Time
30 ns
Voltage - Supply
4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type
-
Package / Case
-
Supplier Device Package
-
Base Product Number
MSM51
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
2 (1 Year)
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0002
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Rohm Semiconductor MSM5118160F-60J3-7
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
-