Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
GB05SLT12-252
Explicación
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Descripción detallada
Diode 1200 V 5A Surface Mount TO-252
Fabricación
GeneSiC Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Current - Average Rectified (Io)
5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 2 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F
260pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-252
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Base Product Number
GB05SLT12

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Otros nombres

GB05SLT12252
1242-1129

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(GB05SLT12-252)
Featured Product
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(OBS 14/Jun/2023)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : GD10MPS12E
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Cantidad disponible : 2,968
Precio unitario : $3.58000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Modelo de producto : STPSC6H12B-TR1
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 7,763
Precio unitario : $3.46000
Tipo de reemplazo : Similar