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GermanyRJK0301DPB-00#J0
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RJK0301DPB-00#J0
Explicación
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 60A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
148
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5000 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
65W (Tc)
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
LFPAK
Package / Case
SC-100, SOT-669
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-RJK0301DPB-00#J0-RETR
RENRNSRJK0301DPB-00#J0
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation RJK0301DPB-00#J0
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RJK0301DPB-00#J0)
Cantidad y precio
Cantidad: 148
Precio unitario: $2.04
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 148
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 148
Alternativas
-