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GermanySI4470EY-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SI4470EY-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
Descripción detallada
N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.85W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.85W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
SI4470
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SI4470EYT1GE3
SI4470EY-T1-GE3TR
SI4470EY-T1-GE3CT
SI4470EY-T1-GE3DKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI4470EY-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SI4470EY)
HTML Datasheet
1(SI4470EY)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SI4850EY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 4,981
Precio unitario : $1.70000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 4,981
Precio unitario : $1.70000
Tipo de reemplazo : Direct