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GermanyR6030KNZC8
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
R6030KNZC8
Explicación
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF
Descripción detallada
N-Channel 600 V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-3PF
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
R6030KNZC8 Models
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
86W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PF
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Base Product Number
R6030
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
R6030KNZC8CTINACTIVE
R6030KNZC8CT
R6030KNZC8DKRINACTIVE
R6030KNZC8TR
R6030KNZC8TR-ND
R6030KNZC8DKR-ND
R6030KNZC8CT-ND
R6030KNZC8DKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor R6030KNZC8
Documentos y medios de comunicación
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Cantidad y precio
-
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