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GermanyIRF6612TR1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF6612TR1
Explicación
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Descripción detallada
N-Channel 30 V 24A (Ta), 136A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,800
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Ta), 136A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3970 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MX
Package / Case
DirectFET™ Isometric MX
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRF6612TR1CT
IRF6612TR
IRF6612TR-ND
IRF6612TR1-ND
IRF6612CT
SP001530704
IRF6612CT-ND
IRF6612TR1TR
IRF6612TR1INACTIVE
IRF6612
*IRF6612
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6612TR1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF6612/TR1)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
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1(IR Hexfet Circuit)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 42,090
Precio unitario : $1.22000
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Modelo de producto : PSMN3R5-30YL,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 7,138
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Tipo de reemplazo : Similar
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