Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
BUK9E2R3-40E,127
Explicación
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 40 V 120A (Tc) 293W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
87.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13160 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
293W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
BUK9

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

BUK9E2R340E127
934066413127
568-9871-5
NEXNXPBUK9E2R3-40E,127
2156-BUK9E2R3-40E127-NX

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK9E2R3-40E,127

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(BUK9E2R3-40E)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(MCU Dip Supply Situation 12/May/2015)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(BUK9E2R3-40E)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : AUIRFSL8407
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,000
Precio unitario : $8.53000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IPI120N04S402AKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 500
Precio unitario : $3.04000
Tipo de reemplazo : Similar