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GermanyA2T21S260W12NR3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
A2T21S260W12NR3
Explicación
RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L
Descripción detallada
RF Mosfet 28 V 1.6 A 2.11GHz ~ 2.2GHz 17.9dB 218W OM-880X-2L2L
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
250
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Frequency
2.11GHz ~ 2.2GHz
Gain
17.9dB
Voltage - Test
28 V
Current Rating (Amps)
10µA
Noise Figure
-
Current - Test
1.6 A
Power - Output
218W
Voltage - Rated
65 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
OM-880X-2L2L
Supplier Device Package
OM-880X-2L2L
Base Product Number
A2T21
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. A2T21S260W12NR3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(A2T21S260W12NR3)
Video File
1(5G Wireless Infrastructure for a Connected World)
Environmental Information
()
PCN Packaging
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
-