Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQU1N60CTU
Explicación
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
70
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
FQU1N60

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-FQU1N60CTU-OS
FAIFSCFQU1N60CTU
FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQU1N60CTU

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQU1N60CTU Datasheet)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019)
PCN Packaging
()

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : STD1NK60-1
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 5,751
Precio unitario : $1.06000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STU2N62K3
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 3,000
Precio unitario : $1.53000
Tipo de reemplazo : Similar