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GermanyCP127-2N6301-CT
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
CP127-2N6301-CT
Explicación
TRANS NPN DARL 80V 8A DIE 1=200
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 8 A 4MHz Surface Mount Die
Fabricación
Central Semiconductor Corp
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Central Semiconductor Corp
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition
4MHz
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
Otros nombres
CP1272N6301CT
CP127-2N6301-CT PBFREE
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Central Semiconductor Corp CP127-2N6301-CT
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(CP127-2N6301)
Environmental Information
1(RoHS Cert)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-