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GermanyIXTA3N110-TRL
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXTA3N110-TRL
Explicación
MOSFET N-CH 1100V 3A TO263
Descripción detallada
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
800
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IXTA3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTA3N110-TRL
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IXTA2R4N120P
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $6.73000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $6.73000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended