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GermanyFDU8580
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDU8580
Explicación
MOSFET N-CH 20V 35A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 20 V 35A (Tc) 49.5W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
460
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1445 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
49.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FDU8580-FS
FAIFSCFDU8580
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDU8580
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDU8580)
Cantidad y precio
Cantidad: 460
Precio unitario: $0.65
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 460
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 460
Alternativas
-