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GermanyIRLR3110ZPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLR3110ZPBF
Explicación
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-IRLR3110ZPBF
SP001568530
INFINFIRLR3110ZPBF
64-4121PBF-ND
64-4121PBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLR3110ZPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRLR3110ZPBF Datasheet)
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1(Packing Material Update 16/Sep/2016)
HTML Datasheet
1(IRLR3110ZPBF Datasheet)
Simulation Models
1(IRLR3110ZPBF Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPD35N10S3L26ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,842
Precio unitario : $1.61000
Tipo de reemplazo : Similar
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Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IRF1310NSTRLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 10,386
Precio unitario : $2.03000
Tipo de reemplazo : Similar
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