Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPP530N15N3GXKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
887 pF @ 75 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP530

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

IPP530N15N3G
IPP530N15N3 G-ND
IPP530N15N3 G
SP000521722

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP530N15N3GXKSA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IPx530N15N3G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
()
PCN Other
1(Multiple Changes 09/Jul/2014)
Simulation Models
1(OptiMOS™ Power MOSFET 150V N-Channel Spice Model)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRFB5615PBFXKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Modelo de producto : FDP2572
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 295
Precio unitario : $2.25000
Tipo de reemplazo : Similar