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GermanyFQAF13N80
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQAF13N80
Explicación
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Descripción detallada
N-Channel 800 V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
120W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PF
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Base Product Number
FQAF13
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FQAF13N80-OS
ONSONSFQAF13N80
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQAF13N80
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQAF13N80)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(FQAF13N80)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IXFR21N100Q
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STW10NK80Z
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 39
Precio unitario : $5.01000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 39
Precio unitario : $5.01000
Tipo de reemplazo : Similar